Только для справки
| номер части | FDB047N10 |
| LIXINC Part # | FDB047N10 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB047N10 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB047N10 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 120A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 4.7mOhm @ 75A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 210 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 15265 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 375W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FQI27N25TU-F085 | 25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL | 5053 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS5C460NLT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 928 Подробнее о заказе |
|
| 2N7002P,235 | MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB | 261921 Подробнее о заказе |
|
| RQ6E045BNTCR | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT | 2870 Подробнее о заказе |
|
| NTE2930 | MOSFET N-CHANNEL 100V 31A TO3PML | 1191 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C410NLT3G | MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN | 801 Подробнее о заказе |
|
| FQA32N20C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 36259 Подробнее о заказе |
|
| AOTF190A60CL | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F | 1779 Подробнее о заказе |
|
| R5011ANJTL | MOSFET N-CH 500V 11A LPTS | 921 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4C08NT1G-001 | MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN | 3887 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS4C05NWFT1G | MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN | 60994 Подробнее о заказе |
|
| SQJ460AEP-T2_GE3 | MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8 | 879 Подробнее о заказе |
|
| IRFS7730TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 1707 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13028 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.44000 | $4.44 |
| 800 | $2.60130 | $2081.04 |
| 1600 | $2.43685 | $3898.96 |
| 2400 | $2.32173 | $5572.152 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.