IPB026N06NATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB026N06NATMA1 | IPB026N06NATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB026N06NATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB026N06NATMA1
LIXINC Part #	IPB026N06NATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB026N06NATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB026N06NATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB026N06NATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.8V @ 75µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB60R099CPATMA1	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3	2515 Подробнее о заказе
RUF020N02TL	MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3	11075 Подробнее о заказе
IXTA3N120	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263	1957 Подробнее о заказе
RJK0701DPP-E0#T2	MOSFET N-CH 75V 100A TO220FP	1272 Подробнее о заказе
IRFSL4510PBF	MOSFET N-CH 100V 61A TO262	966 Подробнее о заказе
SSM6J215FE(TE85L,F	MOSFET P CH 20V 3.4A ES6	7752 Подробнее о заказе
SI1469DH-T1-E3	MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6	42461 Подробнее о заказе
IPP60R380C6	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	963 Подробнее о заказе
PMN25EN,115	MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP	6815 Подробнее о заказе
TSM70N380CI C0G	MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB	4973 Подробнее о заказе
IRLZ24PBF	MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB	1302 Подробнее о заказе
RM5N800LD	MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO252-2	821 Подробнее о заказе
NTTFS4824NTAG	MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN	2198 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015