IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB60R180P7ATMA1
LIXINC Part # IPB60R180P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB60R180P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB60R180P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB60R180P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:18A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 280µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1081 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):72W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFK250N10P IXFK250N10P MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA 876

Подробнее о заказе

STU80N4F6 STU80N4F6 MOSFET N-CH 40V 80A TO251 845

Подробнее о заказе

SPP100N03S2-03 SPP100N03S2-03 MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3 1397

Подробнее о заказе

FDS6680A FDS6680A SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 286233

Подробнее о заказе

SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB 880

Подробнее о заказе

PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 959

Подробнее о заказе

FKP300A FKP300A MOSFET N-CH 300V 30A TO3PF 917

Подробнее о заказе

IPI65R110CFD IPI65R110CFD N-CHANNEL POWER MOSFET 1340

Подробнее о заказе

AUIRLR024NTRL AUIRLR024NTRL PFET, 17A I(D), 55V, 0.08OHM, 1- 78102

Подробнее о заказе

IPA60R520CPXKSA1 IPA60R520CPXKSA1 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-FP 990

Подробнее о заказе

NTMFS4C08NT3G NTMFS4C08NT3G MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN 909

Подробнее о заказе

FQD1N80TM FQD1N80TM MOSFET N-CH 800V 1A DPAK 2537

Подробнее о заказе

DMN53D0U-13 DMN53D0U-13 MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 811

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10882 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.62000$2.62
1000$1.36149$1361.49
2000$1.26760$2535.2
5000$1.22065$6103.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top