FDD6N25TM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD6N25TM

FDD6N25TM

Увеличить

Только для справки

номер части	FDD6N25TM
LIXINC Part #	FDD6N25TM
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDD6N25TM След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDD6N25TM Технические характеристики

номер части:	FDD6N25TM
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	UniFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	250 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	50W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D-Pak
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOW4S60	MOSFET N-CH 600V 4A TO262	820 Подробнее о заказе
SQM60N06-15_GE3	MOSFET N-CH 60V 56A TO263	918 Подробнее о заказе
IPB90N06S4L04ATMA1	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3	895 Подробнее о заказе
IPW65R125C7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3	2184 Подробнее о заказе
IPT60R055CFD7XTMA1	MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF	2806 Подробнее о заказе
BUZ42	N-CHANNEL POWER MOSFET	2232 Подробнее о заказе
FCU7N60TU	MOSFET N-CH 600V 7A IPAK	956 Подробнее о заказе
RCJ120N25TL	MOSFET N-CH 250V 12A LPT	1877 Подробнее о заказе
HUF75852G3	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	14975 Подробнее о заказе
APT20M18B2VFRG	MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX	805 Подробнее о заказе
SIHB22N60ET5-GE3	MOSFET N-CH 600V 21A TO263	886 Подробнее о заказе
TN2106K1-G	MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB	10539 Подробнее о заказе
SQD40N10-25_GE3	MOSFET N-CH 100V 40A TO252	2307 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015