Только для справки
| номер части | APT19M120J |
| LIXINC Part # | APT19M120J |
| Производитель | Roving Networks / Microchip Technology |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | APT19M120J След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | APT19M120J |
| Бренд: | Roving Networks / Microchip Technology |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Roving Networks / Microchip Technology |
| ряд: | POWER MOS 8™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 1200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 19A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 530mOhm @ 14A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 2.5mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 300 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 9670 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 545W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Chassis Mount |
| пакет устройств поставщика: | ISOTOP® |
| упаковка / чехол: | SOT-227-4, miniBLOC |
| IRFI740GPBF | MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3 | 1549 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ48RPBF | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1840 Подробнее о заказе |
|
| RJK0364DPA-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK | 4636 Подробнее о заказе |
|
| STP9NM60N | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB | 1792 Подробнее о заказе |
|
| IXTA4N80P | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263 | 830 Подробнее о заказе |
|
| SIHH21N60EF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8 | 881 Подробнее о заказе |
|
| TBB1012MMTL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 72996 Подробнее о заказе |
|
| SIJA74DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK | 6974 Подробнее о заказе |
|
| DMP4025SFGQ-7 | MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8 | 835 Подробнее о заказе |
|
| SISS50DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK | 6495 Подробнее о заказе |
|
| IRFD9110PBF | MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP | 2136 Подробнее о заказе |
|
| CSD16414Q5 | MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON | 4181 Подробнее о заказе |
|
| FDP7030BL | MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3 | 2102 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10888 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $36.88000 | $36.88 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.