Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDB8870

FDB8870
Увеличить

Только для справки

номер части FDB8870
LIXINC Part # FDB8870
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB8870 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB8870 Технические характеристики

номер части:FDB8870
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:23A (Ta), 160A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:132 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5.2 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):160W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-263AB
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB8870 Документы

if FDB8870 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPAW60R180P7SXKSA1 IPAW60R180P7SXKSA1 MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 1654

Подробнее о заказе
AOI21357 AOI21357 MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A 10311

Подробнее о заказе
RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL MOSFET N-CH 100V 80A TO252 3274

Подробнее о заказе
TPC8133,LQ(S TPC8133,LQ(S MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP 926

Подробнее о заказе
STP42N65M5 STP42N65M5 MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 2138

Подробнее о заказе
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 917

Подробнее о заказе
STP110N55F6 STP110N55F6 MOSFET N-CH 55V 110A TO220 851

Подробнее о заказе
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 821

Подробнее о заказе
DMN3030LFG-7 DMN3030LFG-7 MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 1684

Подробнее о заказе
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 MOSFET N-CH 40V 150A TO263 888

Подробнее о заказе
IRFP2907PBF IRFP2907PBF MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC 840

Подробнее о заказе
PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLC,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 4118

Подробнее о заказе
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 PFET, 650V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, 813

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 62449 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.03000$1.03
800$1.02861$822.888

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top