Только для справки
| номер части | FQAF13N80 |
| LIXINC Part # | FQAF13N80 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQAF13N80 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQAF13N80 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 750mOhm @ 4A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 88 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3500 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 120W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-3PF |
| упаковка / чехол: | TO-3P-3 Full Pack |
| FDPF12N35 | MOSFET N-CH 350V 12A TO220F | 2441 Подробнее о заказе |
|
| IRF1324STRL-7PP | MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK | 840 Подробнее о заказе |
|
| NVTFWS015N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN | 26498 Подробнее о заказе |
|
| IPP65R600E6XKSA1 | 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR | 11419 Подробнее о заказе |
|
| MMSF1310R2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8270 Подробнее о заказе |
|
| PSMN016-100YS,115 | MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56 | 968 Подробнее о заказе |
|
| IRF520PBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB | 1947 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C645NLWFT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 11143 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ14PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | 1874 Подробнее о заказе |
|
| SI4864DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 17A 8SO | 890 Подробнее о заказе |
|
| SI7115DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 | 10346 Подробнее о заказе |
|
| ISC037N03L5ISATMA1 | MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON | 10965 Подробнее о заказе |
|
| IRF7478PBF | MOSFET N-CH 60V 7A 8SO | 995 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11062 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.89000 | $4.89 |
| 10 | $4.36783 | $43.6783 |
| 360 | $3.23238 | $1163.6568 |
| 720 | $2.90041 | $2088.2952 |
| 1080 | $2.44613 | $2641.8204 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.