Только для справки
| номер части | FQD6N50CTM |
| LIXINC Part # | FQD6N50CTM |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQD6N50CTM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQD6N50CTM |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 500 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4.5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 700 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 61W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D-Pak |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IPP60R520C6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 900 Подробнее о заказе |
|
| FDPF51N25 | MOSFET N-CH 250V 51A TO220F | 2113 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFR5410TRL | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | 4969 Подробнее о заказе |
|
| BSO301SPNTMA1 | MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 | 26683 Подробнее о заказе |
|
| NTH4L040N120SC1 | TRANS SJT N-CH 1200V 58A TO247-4 | 3879 Подробнее о заказе |
|
| IRF1404STRRPBF | HEXFET POWER MOSFET | 898 Подробнее о заказе |
|
| SI4166DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO | 4590 Подробнее о заказе |
|
| SIA471DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK | 4635 Подробнее о заказе |
|
| IPP65R065C7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 | 876 Подробнее о заказе |
|
| IPD60R600P6ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 | 1131 Подробнее о заказе |
|
| DMN6070SFCL-7 | MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6 | 199721877 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4847NT1G | MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN | 14500 Подробнее о заказе |
|
| FQP4P40 | MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 | 868 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11173 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.10000 | $1.1 |
| 2500 | $0.48631 | $1215.775 |
| 5000 | $0.46334 | $2316.7 |
| 12500 | $0.44693 | $5586.625 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.