FQD6N50CTM

FQD6N50CTM
Увеличить

Только для справки

номер части FQD6N50CTM
LIXINC Part # FQD6N50CTM
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQD6N50CTM След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQD6N50CTM Технические характеристики

номер части:FQD6N50CTM
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:QFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):500 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:4.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 61W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D-Pak
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPP60R520C6 IPP60R520C6 N-CHANNEL POWER MOSFET 900

Подробнее о заказе

FDPF51N25 FDPF51N25 MOSFET N-CH 250V 51A TO220F 2113

Подробнее о заказе

AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL MOSFET P-CH 100V 13A DPAK 4969

Подробнее о заказе

BSO301SPNTMA1 BSO301SPNTMA1 MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 26683

Подробнее о заказе

NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 TRANS SJT N-CH 1200V 58A TO247-4 3879

Подробнее о заказе

IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF HEXFET POWER MOSFET 898

Подробнее о заказе

SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO 4590

Подробнее о заказе

SIA471DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK 4635

Подробнее о заказе

IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 876

Подробнее о заказе

IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 1131

Подробнее о заказе

DMN6070SFCL-7 DMN6070SFCL-7 MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6 199721877

Подробнее о заказе

NTMFS4847NT1G NTMFS4847NT1G MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN 14500

Подробнее о заказе

FQP4P40 FQP4P40 MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 868

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11173 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.10000$1.1
2500$0.48631$1215.775
5000$0.46334$2316.7
12500$0.44693$5586.625

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top