FDP4D5N10C | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP4D5N10C

FDP4D5N10C

Увеличить

Только для справки

номер части	FDP4D5N10C
LIXINC Part #	FDP4D5N10C
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDP4D5N10C След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDP4D5N10C Технические характеристики

номер части:	FDP4D5N10C
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	128A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 310µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	68 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5065 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.4W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220-3
упаковка / чехол:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.99438	$3.99438
800	$3.99438	$3195.504

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015