Только для справки
| номер части | IPD50R280CEATMA1 |
| LIXINC Part # | IPD50R280CEATMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | 500V COOLMOS N-CHANNEL |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD50R280CEATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD50R280CEATMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ CE |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 500 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 13A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 13V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 280mOhm @ 4.2A, 13V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 350µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 32.6 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 773 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 119W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| R6004JND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | 3495 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1459LS | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 2270 Подробнее о заказе |
|
| HUF75545P3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 | 1121 Подробнее о заказе |
|
| TK90S06N1L,LQ | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | 856 Подробнее о заказе |
|
| DN3525N8-G | MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA | 862 Подробнее о заказе |
|
| IPU80R2K8CEBKMA1 | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | 940 Подробнее о заказе |
|
| RM40P07 | MOSFET P-CHANNEL 40V 6.2A 8SOP | 926 Подробнее о заказе |
|
| IRFBA90N20DPBF | IRFBA90N20 - SMPS HEXFET | 875 Подробнее о заказе |
|
| IPB60R105CFD7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 21A TO263-3-2 | 932 Подробнее о заказе |
|
| XP262N7002TR-G | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 | 1777 Подробнее о заказе |
|
| RQ5E025SNTL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 | 4600 Подробнее о заказе |
|
| BUK9529-100B/C127 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 38406 Подробнее о заказе |
|
| SI7454DDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 | 12552 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10958 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.54000 | $0.54 |
| 2500 | $0.54000 | $1350 |
| 5000 | $0.51300 | $2565 |
| 12500 | $0.49371 | $6171.375 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.