IPDD60R102G7XTMA1

IPDD60R102G7XTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPDD60R102G7XTMA1
LIXINC Part # IPDD60R102G7XTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPDD60R102G7XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPDD60R102G7XTMA1 Технические характеристики

номер части:IPDD60R102G7XTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ G7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:23A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:102mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 390µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1320 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):139W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-HDSOP-10-1
упаковка / чехол:10-PowerSOP Module

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOWF600A70 AOWF600A70 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO262F 1970

Подробнее о заказе

LND150N8-G LND150N8-G MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 9487

Подробнее о заказе

STB22NM60N STB22NM60N MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK 973

Подробнее о заказе

NVMFS5C604NLT3G NVMFS5C604NLT3G MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN 871

Подробнее о заказе

TPIC2322LD TPIC2322LD SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 1277

Подробнее о заказе

R6030ENX R6030ENX MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM 1461

Подробнее о заказе

DMP2004WK-7 DMP2004WK-7 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323 60992

Подробнее о заказе

IXTQ120N15P IXTQ120N15P MOSFET N-CH 150V 120A TO3P 876

Подробнее о заказе

IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET 5068

Подробнее о заказе

IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32 920

Подробнее о заказе

IRL620SPBF IRL620SPBF MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK 1606

Подробнее о заказе

SQ4153EY-T1_GE3 SQ4153EY-T1_GE3 MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC 1589

Подробнее о заказе

IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 10400

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11153 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.91000$4.91
1700$2.96188$5035.196
3400$2.81379$9566.886

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top