Только для справки
| номер части | IPB60R160C6ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB60R160C6ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB60R160C6ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB60R160C6ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 23.8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 160mOhm @ 11.3A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 750µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 75 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1660 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 176W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| STP20NF20 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB | 1213 Подробнее о заказе |
|
| NVTFS5824NLTAG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 2427 Подробнее о заказе |
|
| NTB12N50T4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4928 Подробнее о заказе |
|
| R6020ENJTL | MOSFET N-CH 600V 20A LPTS | 1293 Подробнее о заказе |
|
| IRFR9014TRPBF | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | 4504 Подробнее о заказе |
|
| TP2510N8-G | MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA | 17317 Подробнее о заказе |
|
| IXTH140N075L2 | MOSFET N-CH 75V 140A TO247 | 1343 Подробнее о заказе |
|
| IRLB3813PBF | MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB | 4799 Подробнее о заказе |
|
| FQP4N20 | MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3 | 11617 Подробнее о заказе |
|
| BSC884N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15796 Подробнее о заказе |
|
| STI33N65M2 | MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK | 2909 Подробнее о заказе |
|
| IXTQ52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO3P | 6758352 Подробнее о заказе |
|
| NTB6413ANG | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | 964 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12254 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.72000 | $3.72 |
| 1000 | $2.04113 | $2041.13 |
| 2000 | $1.93907 | $3878.14 |
| 5000 | $1.86618 | $9330.9 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.