Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDP2D3N10C

FDP2D3N10C
Увеличить

Только для справки

номер части FDP2D3N10C
LIXINC Part # FDP2D3N10C
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDP2D3N10C След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDP2D3N10C Технические характеристики

номер части:FDP2D3N10C
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:222A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 700µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:152 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:11.18 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):214W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

FDP2D3N10C Документы

if FDP2D3N10C PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSP250,135 BSP250,135 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 4118

Подробнее о заказе
IRF610A IRF610A N-CHANNEL POWER MOSFET 846

Подробнее о заказе
NTD3055-150 NTD3055-150 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK 5602

Подробнее о заказе
IPI052NE7N3G IPI052NE7N3G N-CHANNEL POWER MOSFET 1226

Подробнее о заказе
FQPF9N25C FQPF9N25C MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F 855

Подробнее о заказе
NDS336P NDS336P MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 122074

Подробнее о заказе
AO4402 AO4402 MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC 15311

Подробнее о заказе
TP5322K1-G TP5322K1-G MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB 2350

Подробнее о заказе
SQ4182EY-T1_BE3 SQ4182EY-T1_BE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC 3438

Подробнее о заказе
STF31N65M5 STF31N65M5 MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP 1954

Подробнее о заказе
IXFX160N30T IXFX160N30T MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3 921

Подробнее о заказе
IPB530N15N3GATMA1 IPB530N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK 989

Подробнее о заказе
FDFS2P103 FDFS2P103 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 30818

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15570 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.03000$4.03
800$3.71745$2973.96

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top