Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDB5690

FDB5690
Увеличить

Только для справки

номер части FDB5690
LIXINC Part # FDB5690
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB5690 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB5690 Технические характеристики

номер части:FDB5690
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:32A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:27mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.12 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):58W (Tc)
Рабочая Температура:-65°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-263AB
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB5690 Документы

if FDB5690 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

MTD3055V MTD3055V MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3 1944

Подробнее о заказе
SI5441BDC-T1-GE3 SI5441BDC-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 3844

Подробнее о заказе
SPD04P10PG SPD04P10PG SPD04P10 - 20V-250V P-CHANNEL PO 27931

Подробнее о заказе
SIHF840LCS-GE3 SIHF840LCS-GE3 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK 822

Подробнее о заказе
NTB125N02RT4 NTB125N02RT4 MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK 943

Подробнее о заказе
NTD3813N-35G NTD3813N-35G MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK 12523

Подробнее о заказе
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS 856

Подробнее о заказе
FDMS9408-F085 FDMS9408-F085 N-CHANNEL MOSFET 2294

Подробнее о заказе
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 18985

Подробнее о заказе
IPW65R280C6 IPW65R280C6 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET 1932

Подробнее о заказе
IRFPF40PBF IRFPF40PBF MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3 924

Подробнее о заказе
RU1E002SPTCL RU1E002SPTCL MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F 10398

Подробнее о заказе
SIR410DP-T1-GE3 SIR410DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 5805

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19335 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.60000$1.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top