Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N08S2L07ATMA1
LIXINC Part # IPB80N08S2L07ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N08S2L07ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N08S2L07ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB80N08S2L07ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):75 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:233 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5400 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N08S2L07ATMA1 Документы

if IPB80N08S2L07ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB 19894

Подробнее о заказе
DMP6180SK3-13 DMP6180SK3-13 MOSFET P-CH 60V 14A TO252 818

Подробнее о заказе
IXTA100N04T2-TRL IXTA100N04T2-TRL MOSFET N-CH 40V 100A TO263 899

Подробнее о заказе
RS1E350BNTB RS1E350BNTB MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP 2766

Подробнее о заказе
TSM3N80CI C0G TSM3N80CI C0G MOSFET N-CH 800V 3A ITO220AB 838

Подробнее о заказе
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F 22943

Подробнее о заказе
NTD25P03LG NTD25P03LG MOSFET P-CH 30V 25A DPAK 914

Подробнее о заказе
2SK3140-E 2SK3140-E N-CHANNEL POWER MOSFET 1662

Подробнее о заказе
RD3U080CNTL1 RD3U080CNTL1 MOSFET N-CH 250V 8A TO252 3162

Подробнее о заказе
EPC2216 EPC2216 GANFET N-CH 15V 3.4A DIE 19473

Подробнее о заказе
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON 4507

Подробнее о заказе
FDPF4D5N10C FDPF4D5N10C MOSFET N-CH 100V 128A TO220F 7958

Подробнее о заказе
AON6444 AON6444 MOSFET N-CH 60V 14A/81A 8DFN 904

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10949 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.75000$3.75
1000$1.56679$1566.79
2000$1.45874$2917.48
5000$1.40470$7023.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top