IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD100N06S403ATMA2
LIXINC Part # IPD100N06S403ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD100N06S403ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD100N06S403ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD100N06S403ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:128 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10400 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

2N6761 2N6761 N-CHANNEL POWER MOSFET 967

Подробнее о заказе

SFT1345-TL-H SFT1345-TL-H MOSFET P-CH 100V 11A TP-FA 1159

Подробнее о заказе

TSM025NB04CR RLG TSM025NB04CR RLG MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN 5895

Подробнее о заказе

SPA08N50C3XKSA1 SPA08N50C3XKSA1 MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP 9429

Подробнее о заказе

PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R2-40PS,127 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 805

Подробнее о заказе

STL8N65M2 STL8N65M2 MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV 990

Подробнее о заказе

AUIRFR48Z AUIRFR48Z MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 8373

Подробнее о заказе

2SK2737-E 2SK2737-E N-CHANNEL POWER MOSFET 1876

Подробнее о заказе

SQ4840EY-T1_GE3 SQ4840EY-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO 1235

Подробнее о заказе

CEDM7001VL TR PBFREE CEDM7001VL TR PBFREE MOSFET N-CH 20V 100MA SOT883VL 2147484552

Подробнее о заказе

RRQ030P03HZGTR RRQ030P03HZGTR MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 3862

Подробнее о заказе

IXFQ28N60P3 IXFQ28N60P3 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P 865

Подробнее о заказе

RD3L140SPFRATL RD3L140SPFRATL MOSFET P-CH 60V 14A TO252 4323

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13197 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.96000$1.96
2500$0.95956$2398.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top