BSC028N06LS3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC028N06LS3GATMA1 | BSC028N06LS3GATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC028N06LS3GATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC028N06LS3GATMA1
LIXINC Part #	BSC028N06LS3GATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC028N06LS3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC028N06LS3GATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC028N06LS3GATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	23A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 93µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	175 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	13000 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 139W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

PSMN2R0-40YLDX	MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56	2415 Подробнее о заказе
DMN2050LQ-7	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23	906 Подробнее о заказе
IPW65R048CFDAFKSA1	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3	972 Подробнее о заказе
DMG3415U-7	MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3	849 Подробнее о заказе
MCH3377-TL-W	MOSFET P-CH 20V 3A 3MCPH	3920 Подробнее о заказе
IRF740BPBF	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB	1210 Подробнее о заказе
DMT69M8LFV-13	MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333	977 Подробнее о заказе
NTMFS6H801NT1G	MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN	915 Подробнее о заказе
FDP6030L	MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3	64443 Подробнее о заказе
RJK6014DPP-E0#T2	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	6029 Подробнее о заказе
NDD03N60ZT4G	MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK	8470 Подробнее о заказе
BSC042N03LSG	BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P	8973 Подробнее о заказе
SQJA46EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	837 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.91000	$2.91
5000	$1.51548	$7577.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015