Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IRFB260NPBF

IRFB260NPBF
Увеличить

Только для справки

номер части IRFB260NPBF
LIXINC Part # IRFB260NPBF
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IRFB260NPBF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRFB260NPBF Технические характеристики

номер части:IRFB260NPBF
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:HEXFET®
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:56A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:220 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4220 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):380W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-220AB
упаковка / чехол:TO-220-3

IRFB260NPBF Документы

if IRFB260NPBF PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 MOSFET P-CH 60V 120A TO263 13811

Подробнее о заказе
FCH35N60 FCH35N60 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 3413

Подробнее о заказе
SQJ840EP-T1_GE3 SQJ840EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 858

Подробнее о заказе
SI7726DN-T1-GE3 SI7726DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 884

Подробнее о заказе
STI21N65M5 STI21N65M5 MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK 894

Подробнее о заказе
IPI50R299CP IPI50R299CP N-CHANNEL POWER MOSFET 10882

Подробнее о заказе
PMZB200UNE315 PMZB200UNE315 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 469985

Подробнее о заказе
CSD23202W10T CSD23202W10T MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 19618

Подробнее о заказе
APT5016BLLG APT5016BLLG MOSFET N-CH 500V 30A TO247 865

Подробнее о заказе
IXFT30N50P IXFT30N50P MOSFET N-CH 500V 30A TO268 4291

Подробнее о заказе
STP50N60DM6 STP50N60DM6 MOSFET N-CH 600V 36A TO220 905

Подробнее о заказе
SI9424DY SI9424DY MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC 1650

Подробнее о заказе
XP231P0201TR-G XP231P0201TR-G MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23 3246

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10900 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.82000$2.82
50$2.27560$113.78
100$2.04811$204.811
500$1.59298$796.49
1000$1.31989$1319.89

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top