NVMFS4C01NWFT1G

NVMFS4C01NWFT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NVMFS4C01NWFT1G
LIXINC Part # NVMFS4C01NWFT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMFS4C01NWFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS4C01NWFT1G Технические характеристики

номер части:NVMFS4C01NWFT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:49A (Ta), 319A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:139 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10144 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.84W (Ta), 161W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFB260NPBF IRFB260NPBF MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 945

Подробнее о заказе

SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 MOSFET P-CH 60V 120A TO263 13946

Подробнее о заказе

FCH35N60 FCH35N60 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 3568

Подробнее о заказе

SQJ840EP-T1_GE3 SQJ840EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 812

Подробнее о заказе

SI7726DN-T1-GE3 SI7726DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 885

Подробнее о заказе

STI21N65M5 STI21N65M5 MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK 923

Подробнее о заказе

IPI50R299CP IPI50R299CP N-CHANNEL POWER MOSFET 10952

Подробнее о заказе

PMZB200UNE315 PMZB200UNE315 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 469894

Подробнее о заказе

CSD23202W10T CSD23202W10T MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 19594

Подробнее о заказе

APT5016BLLG APT5016BLLG MOSFET N-CH 500V 30A TO247 810

Подробнее о заказе

IXFT30N50P IXFT30N50P MOSFET N-CH 500V 30A TO268 4257

Подробнее о заказе

STP50N60DM6 STP50N60DM6 MOSFET N-CH 600V 36A TO220 877

Подробнее о заказе

SI9424DY SI9424DY MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC 1647

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10822 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.29737$1.29737
1500$1.22983$1844.745

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top