IPB80N06S2H5ATMA2 | Rochester Electronics IPB80N06S2H5ATMA2 | IPB80N06S2H5ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S2H5ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB80N06S2H5ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S2H5ATMA2
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB80N06S2H5ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB80N06S2H5ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPB80N06S2H5ATMA2
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 230µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	155 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4.4 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	300W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQ2318AES-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3	862 Подробнее о заказе
IRF3805PBF	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB	3736 Подробнее о заказе
2SK1402A-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4122 Подробнее о заказе
2N7002A	MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3	827 Подробнее о заказе
SUM90N04-3M3P-E3	MOSFET N-CH 40V 90A TO263	995 Подробнее о заказе
HAT2165H-EL-E	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK	1697 Подробнее о заказе
NP160N055TUK-E1-AY	MOSFET N-CH 55V 160A TO263-7	928 Подробнее о заказе
BUK7230-55A,118	PFET, 38A I(D), 55V, 0.03OHM, 1-	7087 Подробнее о заказе
RM4P20ES6	MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6	817 Подробнее о заказе
STP120NF10	MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB	4935 Подробнее о заказе
BSP88E6327	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4	264319 Подробнее о заказе
PMV30UN,215	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	35239 Подробнее о заказе
IRL520NSTRLPBF	MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK	811 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.34000	$1.34
1000	$1.34000	$1340

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015