Только для справки
| номер части | IPD60R2K1CEBTMA1 |
| LIXINC Part # | IPD60R2K1CEBTMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD60R2K1CEBTMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD60R2K1CEBTMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ CE |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.3A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.1Ohm @ 760mA, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 60µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 6.7 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 140 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 22W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| DMN63D1LW-13 | MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323 | 160909 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN6A08GQTC | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | 973 Подробнее о заказе |
|
| STF11N60M2-EP | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP | 933 Подробнее о заказе |
|
| NTB75N06G | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 1734 Подробнее о заказе |
|
| STF8NM50N | MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP | 2918 Подробнее о заказе |
|
| IXTP3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB | 912 Подробнее о заказе |
|
| SIA449DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 3912 Подробнее о заказе |
|
| NTB75N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK | 7965 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S2H5ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 | 2945 Подробнее о заказе |
|
| SQ2318AES-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 | 845 Подробнее о заказе |
|
| IRF3805PBF | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 3782 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1402A-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4177 Подробнее о заказе |
|
| 2N7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 | 885 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10895 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.19608 | $0.19608 |
| 2500 | $ 0.19608 | $490.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.