Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD26N06S2L35ATMA2

IPD26N06S2L35ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD26N06S2L35ATMA2
LIXINC Part # IPD26N06S2L35ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD26N06S2L35ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD26N06S2L35ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD26N06S2L35ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 26µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:621 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):68W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD26N06S2L35ATMA2 Документы

if IPD26N06S2L35ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDP8N50NZ FDP8N50NZ MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3 1735

Подробнее о заказе
TK5A65W,S5X TK5A65W,S5X MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS 1069

Подробнее о заказе
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS-13 MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO 13313

Подробнее о заказе
IXTP12N65X2M IXTP12N65X2M MOSFET N-CH 650V 12A TO220 856

Подробнее о заказе
STP20NM50 STP20NM50 MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB 1969

Подробнее о заказе
ECH8315-TL-H ECH8315-TL-H MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH 258236809

Подробнее о заказе
STE70NM60 STE70NM60 MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP 852

Подробнее о заказе
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 829

Подробнее о заказе
EPC2019 EPC2019 GANFET N-CH 200V 8.5A DIE 57626

Подробнее о заказе
IRLR3110ZPBF IRLR3110ZPBF MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 924

Подробнее о заказе
STL7LN80K5 STL7LN80K5 MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT 3485

Подробнее о заказе
SCT3060AW7TL SCT3060AW7TL TRANS SJT N-CH 650V 38A TO263-7 1914

Подробнее о заказе
AUIRFR4104TRL AUIRFR4104TRL AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL 7164

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12146 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.95000$0.95
2500$0.31187$779.675
5000$0.29037$1451.85
12500$0.27961$3495.125
25000$0.27375$6843.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top