Только для справки
| номер части | BSC022N04LSATMA1 |
| LIXINC Part # | BSC022N04LSATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSC022N04LSATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSC022N04LSATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.2mOhm @ 50A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 37 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2600 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TDSON-8-6 |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| SPA15N60CFDXKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1423 Подробнее о заказе |
|
| RU1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F | 3181 Подробнее о заказе |
|
| DMT6016LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO | 940 Подробнее о заказе |
|
| FDD6670AS | MOSFET N-CH 30V 76A TO252 | 1482 Подробнее о заказе |
|
| IRLL024ZPBF | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 984 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ44RPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1845 Подробнее о заказе |
|
| SSM6J505NU,LF | MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB | 6725 Подробнее о заказе |
|
| IPP80N06S2LH5AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1 | 38816 Подробнее о заказе |
|
| IRFR010PBF | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | 3032 Подробнее о заказе |
|
| SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | 3921 Подробнее о заказе |
|
| FDD86367 | MOSFET N-CH 80V 100A DPAK | 990 Подробнее о заказе |
|
| SUD50P10-43L-BE3 | MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK | 2913 Подробнее о заказе |
|
| BUK7S0R9-40HJ | MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88 | 2732 Подробнее о заказе |
| В наличии | 27847 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.55000 | $1.55 |
| 5000 | $0.73576 | $3678.8 |
| 10000 | $0.71127 | $7112.7 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.