BSZ100N03MSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ100N03MSGATMA1 | BSZ100N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ100N03MSGATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ100N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSZ100N03MSGATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ100N03MSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ100N03MSGATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ100N03MSGATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	9.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.1W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

TSM60N750CP ROG	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252	913 Подробнее о заказе
SIA462DJ-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6	947 Подробнее о заказе
SISH101DN-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK	8289 Подробнее о заказе
DMP2004TK-7	MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523	926 Подробнее о заказе
IRFR13N15DTRPBF	MOSFET N-CH 150V 14A DPAK	827 Подробнее о заказе
MTW24N40E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4360 Подробнее о заказе
BSC022N04LSATMA1	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6	28008 Подробнее о заказе
SPA15N60CFDXKSA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1386 Подробнее о заказе
RU1C001UNTCL	MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F	3219 Подробнее о заказе
DMT6016LSS-13	MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO	926 Подробнее о заказе
FDD6670AS	MOSFET N-CH 30V 76A TO252	1481 Подробнее о заказе
IRLL024ZPBF	MOSFET N-CH 55V 5A SOT223	904 Подробнее о заказе
IRFZ44RPBF-BE3	MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB	1860 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.74000	$0.74
5000	$0.29021	$1451.05

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015