IPD30N06S2L23ATMA1 | Rochester Electronics IPD30N06S2L23ATMA1 | IPD30N06S2L23ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD30N06S2L23ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD30N06S2L23ATMA1
LIXINC Part #	IPD30N06S2L23ATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD30N06S2L23ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD30N06S2L23ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD30N06S2L23ATMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1.091 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	100W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQB50N06TM	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK	1210 Подробнее о заказе
STD52P3LLH6	MOSFET P-CH 30V 52A DPAK	2700 Подробнее о заказе
DMN2005UFG-7	MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333	6562 Подробнее о заказе
IPA028N08N3G	IPA028N08 - 12V-300V N-CHANNEL P	6858 Подробнее о заказе
FDS7766	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	12087 Подробнее о заказе
FDMS8350L	MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56	3777 Подробнее о заказе
SST214 SOT-143 4L	HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO	1956 Подробнее о заказе
FDMS5352	MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN	3196 Подробнее о заказе
PSMN1R4-40YLDX	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56	1986 Подробнее о заказе
RUM002N05T2L	MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3	68341 Подробнее о заказе
IXFQ60N50P3	MOSFET N-CH 500V 60A TO3P	3348 Подробнее о заказе
STP16N65M2	MOSFET N-CH 650V 11A TO220	1966 Подробнее о заказе
BSZ100N03MSGATMA1	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON	4456 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.43000	$0.43

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015