Только для справки
| номер части | FDC5612 |
| LIXINC Part # | FDC5612 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDC5612 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDC5612 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4.3A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 55mOhm @ 4.3A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 18 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 650 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.6W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SuperSOT™-6 |
| упаковка / чехол: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| PMZ370UNE315 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 958 Подробнее о заказе |
|
| SI7112DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 | 7664 Подробнее о заказе |
|
| IXFA7N100P | MOSFET N-CH 1000V 7A TO263 | 801 Подробнее о заказе |
|
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO247 | 15758 Подробнее о заказе |
|
| FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | 1042 Подробнее о заказе |
|
| SI7370ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 | 955 Подробнее о заказе |
|
| FQP32N20C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 1979 Подробнее о заказе |
|
| NTLUS3A18PZCTCG | MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | 24970 Подробнее о заказе |
|
| FQI1P50TU | MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK | 843 Подробнее о заказе |
|
| IRFP4229PBF | MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC | 953 Подробнее о заказе |
|
| IXTY48P05T | MOSFET P-CH 50V 48A TO252 | 985 Подробнее о заказе |
|
| IPD65R1K4CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3 | 942 Подробнее о заказе |
|
| NTD23N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | 1088733 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10959 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.63000 | $0.63 |
| 3000 | $0.35297 | $1058.91 |
| 6000 | $0.32863 | $1971.78 |
| 15000 | $0.31646 | $4746.9 |
| 30000 | $0.30982 | $9294.6 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.