Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD096N08N3GBTMA1
LIXINC Part # IPD096N08N3GBTMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD096N08N3GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD096N08N3GBTMA1 Технические характеристики

номер части:IPD096N08N3GBTMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:73A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:9.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 46µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.41 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):100W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD096N08N3GBTMA1 Документы

if IPD096N08N3GBTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOW25S65 AOW25S65 MOSFET N-CH 650V 25A TO262 887

Подробнее о заказе
FDB082N15A FDB082N15A MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK 1525

Подробнее о заказе
HUFA75339P3 HUFA75339P3 MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 3366

Подробнее о заказе
APT20M11JVR APT20M11JVR MOSFET N-CH 200V 175A ISOTOP 833

Подробнее о заказе
SISH536DN-T1-GE3 SISH536DN-T1-GE3 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE 871

Подробнее о заказе
NVMFS5C404NLWFAFT3G NVMFS5C404NLWFAFT3G MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN 882

Подробнее о заказе
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON 11291

Подробнее о заказе
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 3384

Подробнее о заказе
AOD4126 AOD4126 MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO252 841

Подробнее о заказе
NVMFS6H848NT1G NVMFS6H848NT1G MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN 11492

Подробнее о заказе
2N7002-7-F 2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 3248422

Подробнее о заказе
TK33S10N1Z,LXHQ TK33S10N1Z,LXHQ MOSFET N-CH 100V 33A DPAK 4526

Подробнее о заказе
IPDD60R090CFD7XTMA1 IPDD60R090CFD7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10 2680

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10878 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.35000$0.35

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top