NTMSD6N303R2 | Rochester Electronics NTMSD6N303R2 | NTMSD6N303R2 Inventory, Best Pricing

NTMSD6N303R2

Увеличить

Только для справки

номер части	NTMSD6N303R2
LIXINC Part #	NTMSD6N303R2
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTMSD6N303R2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTMSD6N303R2 Технические характеристики

номер части:	NTMSD6N303R2
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	FETKY™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	950 pF @ 24 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	2W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SOIC
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SQJA36EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8	3286 Подробнее о заказе
AUIRFR9024NTRL	MOSFET P-CH 55V 11A DPAK	806 Подробнее о заказе
BUZ102SL-E3045A	N-CHANNEL POWER MOSFET	74753 Подробнее о заказе
NTLUS3A90PZTBG	MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN	826 Подробнее о заказе
IRF9540PBF	MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB	2843 Подробнее о заказе
IRFPS43N50KPBF	MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247	896 Подробнее о заказе
STL160N4F7	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT	1806 Подробнее о заказе
FCP190N60E	MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3	858 Подробнее о заказе
IPB65R380C6ATMA1	MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK	18755 Подробнее о заказе
FCPF190N60E	MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F	1867 Подробнее о заказе
RJK0204DPA-00#J53	MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK	3848 Подробнее о заказе
IPP50R500CEXKSA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	8871 Подробнее о заказе
IPP120N06S403AKSA1	MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3	22834 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.22000	$0.22
2500	$0.22000	$550

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015