Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB65R310CFDAATMA1

IPB65R310CFDAATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB65R310CFDAATMA1
LIXINC Part # IPB65R310CFDAATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB65R310CFDAATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB65R310CFDAATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB65R310CFDAATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:11.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:310mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 440µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1110 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):104.2W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB65R310CFDAATMA1 Документы

if IPB65R310CFDAATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD30N06S223ATMA1 IPD30N06S223ATMA1 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 45852

Подробнее о заказе
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 11332

Подробнее о заказе
NVMFS5C410NWFAFT3G NVMFS5C410NWFAFT3G MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 957

Подробнее о заказе
AUIRFS4010 AUIRFS4010 MOSFET N-CH 100V 180A TO263 1808

Подробнее о заказе
NTP30N06LG NTP30N06LG MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB 966

Подробнее о заказе
FQB45N15V2TM FQB45N15V2TM MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK 974

Подробнее о заказе
PXN6R2-25QLJ PXN6R2-25QLJ PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33 3900

Подробнее о заказе
DMPH4029LFG-7 DMPH4029LFG-7 MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 936

Подробнее о заказе
TSM4N60ECP ROG TSM4N60ECP ROG MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 3228

Подробнее о заказе
TK8Q60W,S1VQ TK8Q60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 8A IPAK 810

Подробнее о заказе
NTP190N65S3HF NTP190N65S3HF MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 1689

Подробнее о заказе
AUIRFS4410ZTRL AUIRFS4410ZTRL AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL 1462

Подробнее о заказе
BUK7528-55A,127 BUK7528-55A,127 PFET, 42A I(D), 55V, 0.028OHM, 1 5196

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10923 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.58392$1.58392
1000$1.58392$1583.92

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top