Только для справки
| номер части | FDD5690 |
| LIXINC Part # | FDD5690 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 30A TO252 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDD5690 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDD5690 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 30A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 27mOhm @ 9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1110 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.2W (Ta), 50W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-252 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IRFL014NPBF | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | 5142 Подробнее о заказе |
|
| TSM60NB099CZ C0G | MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220 | 1452 Подробнее о заказе |
|
| NVMYS014N06CLTWG | MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK | 26806966 Подробнее о заказе |
|
| AONR36366 | MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN | 1556 Подробнее о заказе |
|
| G2R120MT33J | SIC MOSFET N-CH TO263-7 | 1049 Подробнее о заказе |
|
| BF1005SE6327 | RF N-CHANNEL MOSFET | 42897 Подробнее о заказе |
|
| HUF76129D3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 43042 Подробнее о заказе |
|
| PSMN4R2-30MLDX | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | 900 Подробнее о заказе |
|
| STP52P3LLH6 | MOSFET N-CHANNEL 30V 52A TO220 | 847 Подробнее о заказе |
|
| IPD70N12S3L12ATMA1 | MOSFET N-CHANNEL_100+ | 854 Подробнее о заказе |
|
| SUP70101EL-GE3 | MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB | 809 Подробнее о заказе |
|
| IRF7749L1TRPBF | MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET | 868 Подробнее о заказе |
|
| IXFX27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3 | 8552 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11066 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.63000 | $1.63 |
| 2500 | $0.75815 | $1895.375 |
| 5000 | $0.72233 | $3611.65 |
| 12500 | $0.69675 | $8709.375 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.