Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPW60R080P7XKSA1

IPW60R080P7XKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPW60R080P7XKSA1
LIXINC Part # IPW60R080P7XKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPW60R080P7XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPW60R080P7XKSA1 Технические характеристики

номер части:IPW60R080P7XKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:37A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 590µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2180 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):129W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO247-3
упаковка / чехол:TO-247-3

IPW60R080P7XKSA1 Документы

if IPW60R080P7XKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

APT12040JVR APT12040JVR MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227 979

Подробнее о заказе
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 8733

Подробнее о заказе
STP4NK80Z STP4NK80Z MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB 1741

Подробнее о заказе
AON6362 AON6362 MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN 1988

Подробнее о заказе
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 4301

Подробнее о заказе
SCT2280KEC SCT2280KEC SICFET N-CH 1200V 14A TO247 3000

Подробнее о заказе
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK 1875

Подробнее о заказе
GKI06259 GKI06259 MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN 922

Подробнее о заказе
DMT35M7LFV-13 DMT35M7LFV-13 MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333 802

Подробнее о заказе
PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R8-100PSEQ MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 4205

Подробнее о заказе
R6012FNJTL R6012FNJTL MOSFET N-CH 600V 12A LPT 1741

Подробнее о заказе
SQJA94EP-T1_GE3 SQJA94EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8 3599

Подробнее о заказе
IPP60R450E6XKSA1 IPP60R450E6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3 2610

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11549 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$5.85000$5.85
10$5.25941$52.5941
240$4.37410$1049.784
720$3.60663$2596.7736
1200$3.09497$3713.964

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top