Только для справки
| номер части | FDN86501LZ |
| LIXINC Part # | FDN86501LZ |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDN86501LZ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDN86501LZ |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.6A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 116mOhm @ 2.6A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 5.4 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 335 pF @ 30 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.5W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SuperSOT-3 |
| упаковка / чехол: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| IXTT75N10L2 | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 | 3386 Подробнее о заказе |
|
| PMZ370UNEYL | MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 | 11815 Подробнее о заказе |
|
| APT77N60SC6/TR | MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | 1294 Подробнее о заказе |
|
| STFI20NM65N | MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP | 971 Подробнее о заказе |
|
| AON6230 | MOSFET N-CH 40V 57.5A/85A 8DFN | 945 Подробнее о заказе |
|
| RJK0701DPN-E0#T2 | MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB | 13211 Подробнее о заказе |
|
| AOWF10N65 | MOSFET N-CH 650V 10A TO262F | 963 Подробнее о заказе |
|
| UPA2810T1L-E1-AY | MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN | 3950 Подробнее о заказе |
|
| CPH3348-TL-E | P-CHANNEL MOSFET | 16854 Подробнее о заказе |
|
| AOD4454 | MOSFET N-CH 150V 3A/20A TO252 | 861 Подробнее о заказе |
|
| IPP200N15N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 | 911 Подробнее о заказе |
|
| 5LN01M-TL-H | MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP | 23822 Подробнее о заказе |
|
| IPP65R380C6 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 941 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10910 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.60000 | $1.6 |
| 3000 | $0.67960 | $2038.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.