Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC0902NSIATMA1
LIXINC Part # BSC0902NSIATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC0902NSIATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC0902NSIATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC0902NSIATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:23A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 10mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-6
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC0902NSIATMA1 Документы

if BSC0902NSIATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTHS2101PT1 NTHS2101PT1 MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET 918483

Подробнее о заказе
IPB80P04P407ATMA1 IPB80P04P407ATMA1 MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 982

Подробнее о заказе
NTD5407NT4G NTD5407NT4G MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK 61940

Подробнее о заказе
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 10465

Подробнее о заказе
FQT13N06TF FQT13N06TF MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 632912812

Подробнее о заказе
NVMFS5C430NWFAFT3G NVMFS5C430NWFAFT3G MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN 922

Подробнее о заказе
AON6152A AON6152A MOSFET N-CH 45V 58A/100A 8DFN 818

Подробнее о заказе
SQS423EN-T1_BE3 SQS423EN-T1_BE3 MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212 3939

Подробнее о заказе
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 3201

Подробнее о заказе
MCH6437-P-TL-E MCH6437-P-TL-E MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6 951

Подробнее о заказе
NTR0202PLT1 NTR0202PLT1 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3 4942

Подробнее о заказе
FCPF190N65S3L1 FCPF190N65S3L1 MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3 640475855

Подробнее о заказе
MMFT2N02ELT1 MMFT2N02ELT1 MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 978

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15901 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.07000$1.07
5000$0.49918$2495.9
10000$0.48041$4804.1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top