IPD90N10S4L06ATMA1

IPD90N10S4L06ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD90N10S4L06ATMA1
LIXINC Part # IPD90N10S4L06ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD90N10S4L06ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD90N10S4L06ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD90N10S4L06ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.1V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6250 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOT4S60L AOT4S60L MOSFET N-CH 600V 4A TO220 921

Подробнее о заказе

FQP2NA90 FQP2NA90 MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3 2739

Подробнее о заказе

SQJQ402E-T1_GE3 SQJQ402E-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 847

Подробнее о заказе

TK210V65Z,LQ TK210V65Z,LQ MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN 5803

Подробнее о заказе

BSP320SL6433 BSP320SL6433 SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 8919

Подробнее о заказе

PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30BL,118 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 4394

Подробнее о заказе

STS8N6LF6AG STS8N6LF6AG MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO 3057

Подробнее о заказе

IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 1793

Подробнее о заказе

IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK 942

Подробнее о заказе

SPU04N60C3BKMA1 SPU04N60C3BKMA1 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251-3 1422

Подробнее о заказе

XP233P1501TR-G XP233P1501TR-G MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 3903

Подробнее о заказе

IXTN32P60P IXTN32P60P MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B 1199

Подробнее о заказе

IRF9231 IRF9231 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO 843

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13707 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.13000$2.13
2500$1.06490$2662.25
5000$1.02545$5127.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top