FDFMA2P029Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z

Увеличить

Только для справки

номер части	FDFMA2P029Z
LIXINC Part #	FDFMA2P029Z
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDFMA2P029Z След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDFMA2P029Z Технические характеристики

номер части:	FDFMA2P029Z
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.1A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	95mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	720 pF @ 10 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	1.4W (Tj)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-MicroFET (2x2)
упаковка / чехол:	6-VDFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015