FDMC510P-F106 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMC510P-F106

FDMC510P-F106

Увеличить

Только для справки

номер части	FDMC510P-F106
LIXINC Part #	FDMC510P-F106
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDMC510P-F106 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDMC510P-F106 Технические характеристики

номер части:	FDMC510P-F106
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12A (Ta), 18A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	116 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	7860 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-WDFN (3.3x3.3)
упаковка / чехол:	8-PowerWDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.36685	$0.36685
3000	$0.36685	$1100.55

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015