Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDME820NZT

FDME820NZT
Увеличить

Только для справки

номер части FDME820NZT
LIXINC Part # FDME820NZT
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDME820NZT След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDME820NZT Технические характеристики

номер части:FDME820NZT
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:18mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:8.5 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:865 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.1W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:MicroFet 1.6x1.6 Thin
упаковка / чехол:6-PowerUFDFN

FDME820NZT Документы

if FDME820NZT PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

VN3205N3-G-P002 VN3205N3-G-P002 MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3 913

Подробнее о заказе
IPB120N08S403ATMA1 IPB120N08S403ATMA1 MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3-2 865

Подробнее о заказе
IRFU9210PBF IRFU9210PBF MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA 2762

Подробнее о заказе
CSD16340Q3 CSD16340Q3 MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON 4504

Подробнее о заказе
SIRC06DP-T1-GE3 SIRC06DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8 827

Подробнее о заказе
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS-7 MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R 303994

Подробнее о заказе
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3GXUMA1 MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON 1020

Подробнее о заказе
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M MOSFET N-CH 650V 4A TO220 875

Подробнее о заказе
NTD95N02RT4 NTD95N02RT4 MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK 15843

Подробнее о заказе
BSZ018N04LS6ATMA1 BSZ018N04LS6ATMA1 MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON 5975

Подробнее о заказе
TSM080NB03CR RLG TSM080NB03CR RLG MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN 3413

Подробнее о заказе
CSD13380F3 CSD13380F3 MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR 48282

Подробнее о заказе
IRFS7787TRLPBF IRFS7787TRLPBF MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK 1631

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12051 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.90000$0.9
5000$0.90000$4500
10000$0.86665$8666.5
25000$0.84847$21211.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top