IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S2H5ATMA1
LIXINC Part # IPB80N06S2H5ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S2H5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S2H5ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S2H5ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 230µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:155 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4.4 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AUIRF3205ZSTRL AUIRF3205ZSTRL MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 1788

Подробнее о заказе

BSS119NH7796 BSS119NH7796 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 87183

Подробнее о заказе

TK6A55DA(STA4,Q,M) TK6A55DA(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS 874

Подробнее о заказе

FDY100PZ FDY100PZ MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 1240375849

Подробнее о заказе

NVMFS5885NLT1G NVMFS5885NLT1G MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN 1719

Подробнее о заказе

FDP75N08A FDP75N08A MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 1624

Подробнее о заказе

IXFH96N15P IXFH96N15P MOSFET N-CH 150V 96A TO247AD 839

Подробнее о заказе

IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 812

Подробнее о заказе

AOT282L AOT282L MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO220 924

Подробнее о заказе

AOD2916 AOD2916 MOSFET N CH 100V 5.5A TO252 978

Подробнее о заказе

VN0606L-G-P003 VN0606L-G-P003 MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 825

Подробнее о заказе

IRFI644GPBF IRFI644GPBF MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3 1118

Подробнее о заказе

FDS7788 FDS7788 MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC 74056

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13509 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.08000$1.08

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top