Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB030N08N3GATMA1
LIXINC Part # IPB030N08N3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB030N08N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB030N08N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB030N08N3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:160A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 155µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:117 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:8110 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):214W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB030N08N3GATMA1 Документы

if IPB030N08N3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMTH6006SPS-13 DMTH6006SPS-13 MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 943

Подробнее о заказе
FDMC4D9P20X8 FDMC4D9P20X8 MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN 982

Подробнее о заказе
IRFD9220PBF IRFD9220PBF MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP 1119

Подробнее о заказе
FDD86580-F085 FDD86580-F085 MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 884

Подробнее о заказе
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 2251

Подробнее о заказе
FQI4N90TU FQI4N90TU MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK 13861

Подробнее о заказе
SPP07N60C3XKSA1 SPP07N60C3XKSA1 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 1170

Подробнее о заказе
FDS8433A FDS8433A MOSFET P-CH 20V 5A 8SOIC 8102

Подробнее о заказе
DMN24H3D5L-7 DMN24H3D5L-7 MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 3852

Подробнее о заказе
DMN1014UFDF-7 DMN1014UFDF-7 MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN 914

Подробнее о заказе
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 1.4A, 100V, 0.56OHM, N-CHANNEL, 110863

Подробнее о заказе
FQAF19N20L FQAF19N20L MOSFET N-CH 200V 16A TO3PF 2625

Подробнее о заказе
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G MOSFET N-CH 100V 23A DPAK 343326

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12479 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.61000$3.61
1000$1.90764$1907.64
2000$1.81227$3624.54
5000$1.74413$8720.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top