Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IRFHM8337TRPBF

IRFHM8337TRPBF
Увеличить

Только для справки

номер части IRFHM8337TRPBF
LIXINC Part # IRFHM8337TRPBF
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание IRFHM8337 - HEXFET POWER MOSFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IRFHM8337TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRFHM8337TRPBF Технические характеристики

номер части:IRFHM8337TRPBF
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:HEXFET®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:12A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.35V @ 25µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:8.1 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:755 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.8W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

IRFHM8337TRPBF Документы

if IRFHM8337TRPBF PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPP80P03P405AKSA1 IPP80P03P405AKSA1 MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 27803

Подробнее о заказе
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 2482

Подробнее о заказе
DMTH6006SPS-13 DMTH6006SPS-13 MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 956

Подробнее о заказе
FDMC4D9P20X8 FDMC4D9P20X8 MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN 917

Подробнее о заказе
IRFD9220PBF IRFD9220PBF MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP 1045

Подробнее о заказе
FDD86580-F085 FDD86580-F085 MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 873

Подробнее о заказе
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 2198

Подробнее о заказе
FQI4N90TU FQI4N90TU MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK 13818

Подробнее о заказе
SPP07N60C3XKSA1 SPP07N60C3XKSA1 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 1167

Подробнее о заказе
FDS8433A FDS8433A MOSFET P-CH 20V 5A 8SOIC 8112

Подробнее о заказе
DMN24H3D5L-7 DMN24H3D5L-7 MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 3759

Подробнее о заказе
DMN1014UFDF-7 DMN1014UFDF-7 MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN 913

Подробнее о заказе
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 1.4A, 100V, 0.56OHM, N-CHANNEL, 110769

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10830 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.16000$0.16
4000$0.16000$640
8000$0.15014$1201.12
12000$0.14521$1742.52
28000$0.14252$3990.56

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top