STR2N2VH5 | STMicroelectronics STR2N2VH5 | STR2N2VH5 Inventory, Best Pricing

STR2N2VH5

Увеличить

Только для справки

номер части	STR2N2VH5
LIXINC Part #	STR2N2VH5
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STR2N2VH5 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STR2N2VH5 Технические характеристики

номер части:	STR2N2VH5
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	STripFET™ V
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.3A (Tj)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	30mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	700mV @ 250µA (Min)
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4.6 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	367 pF @ 16 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	350mW (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-23
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015