IPB009N03LGATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB009N03LGATMA1 | IPB009N03LGATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB009N03LGATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB009N03LGATMA1
LIXINC Part #	IPB009N03LGATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB009N03LGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB009N03LGATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB009N03LGATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	227 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	25000 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	250W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

SIHG120N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC	1396 Подробнее о заказе
TSM7ND65CI	MOSFET N-CH 650V 7A ITO220	4893 Подробнее о заказе
TPC8134,LQ(S	MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP	977 Подробнее о заказе
AOT254L	MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO220	892 Подробнее о заказе
AUIRFP4568-E	MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD	1728 Подробнее о заказе
IPD90N04S3H4ATMA1	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	44192 Подробнее о заказе
TK32E12N1,S1X	MOSFET N CH 120V 60A TO-220	816 Подробнее о заказе
IXFX80N50P	MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3	888 Подробнее о заказе
SSM5H90ATU,LF	MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV	6994 Подробнее о заказе
IXTH13N80	MOSFET N-CH 800V 13A TO247	962 Подробнее о заказе
2SJ166-T1B-A	P-CHANNEL MOSFET	2350 Подробнее о заказе
DN2530N3-G	MOSFET N-CH 300V 175MA TO92	3818 Подробнее о заказе
IPA60R380E6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP	1967 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015