Только для справки
| номер части | TPW1R306PL,L1Q |
| LIXINC Part # | TPW1R306PL,L1Q |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPW1R306PL,L1Q След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPW1R306PL,L1Q |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSIX-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 260A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.29mOhm @ 50A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 91 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 8100 pF @ 30 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 175°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-DSOP Advance |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| IPP60R360P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | 1834 Подробнее о заказе |
|
| DMP2023UFDF-13 | MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN | 932 Подробнее о заказе |
|
| IXTQ30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | 201352 Подробнее о заказе |
|
| SQS482EN-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 | 3630 Подробнее о заказе |
|
| FQP16N25C | MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3 | 25562 Подробнее о заказе |
|
| STB7NK80Z-1 | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK | 836 Подробнее о заказе |
|
| PMV25ENEA215 | PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23 | 288942 Подробнее о заказе |
|
| MCH6341-TL-H | MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH | 1329614 Подробнее о заказе |
|
| STWA20N95DK5 | MOSFET N-CH 950V 18A TO247 | 804 Подробнее о заказе |
|
| 2N7002H-13 | MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 | 948 Подробнее о заказе |
|
| STO36N60M6 | MOSFET N-CH 600V 30A TOLL | 2566 Подробнее о заказе |
|
| SPD07N60C3ATMA1 | LOW POWER_LEGACY | 3965 Подробнее о заказе |
|
| RSF010P05TL | MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 | 5331 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12567 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.92000 | $2.92 |
| 5000 | $1.45480 | $7274 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.