NVMFS5C410NLAFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5C410NLAFT3G | NVMFS5C410NLAFT3G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C410NLAFT3G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVMFS5C410NLAFT3G
LIXINC Part #	NVMFS5C410NLAFT3G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVMFS5C410NLAFT3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVMFS5C410NLAFT3G Технические характеристики

номер части:	NVMFS5C410NLAFT3G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	50A (Ta), 330A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.82mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	143 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8862 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN, 5 Leads

PXN017-30QLJ	PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33	3835 Подробнее о заказе
SI2310-TP	MOSFET N-CH 60V 3A SOT23	819 Подробнее о заказе
FDFMJ2P023Z	MOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF	30980 Подробнее о заказе
NVMFS4C01NT3G	MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN	836 Подробнее о заказе
NTY100N10	MOSFET N-CH 100V 123A TO264	882 Подробнее о заказе
IPZ65R045C7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 46A TO247	805 Подробнее о заказе
BSC091N03MSCGATMA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	35830 Подробнее о заказе
FDN338P	MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3	903 Подробнее о заказе
BSC070N10LS5ATMA1	MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON	2956 Подробнее о заказе
SI7155DP-T1-GE3	MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK	6178 Подробнее о заказе
TJ20S04M3L,LXHQ	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK	8817 Подробнее о заказе
PH4840S,115	MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK56	8463 Подробнее о заказе
HUFA76429D3S	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA	4357 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.94005	$0.94005
5000	$0.94005	$4700.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015