FDG410NZ

FDG410NZ
Увеличить

Только для справки

номер части FDG410NZ
LIXINC Part # FDG410NZ
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDG410NZ След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDG410NZ Технические характеристики

номер части:FDG410NZ
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:70mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7.2 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:535 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):420mW (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SC-88 (SC-70-6)
упаковка / чехол:6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 9896

Подробнее о заказе

FDA62N28 FDA62N28 MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN 3514

Подробнее о заказе

SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F MOSFET P-CH 30V 100MA VESM 56835

Подробнее о заказе

STB60NF10T4 STB60NF10T4 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 891

Подробнее о заказе

SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 2438

Подробнее о заказе

DN3135N8-G DN3135N8-G MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA 905

Подробнее о заказе

IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK 814

Подробнее о заказе

SI1308EDL-T1-BE3 SI1308EDL-T1-BE3 MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3 3617

Подробнее о заказе

FDD8876 FDD8876 MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA 5704

Подробнее о заказе

SQ2362ES-T1_BE3 SQ2362ES-T1_BE3 MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 3799

Подробнее о заказе

SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247 1012

Подробнее о заказе

STW9NK90Z STW9NK90Z MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3 977

Подробнее о заказе

DMG3402LQ-7 DMG3402LQ-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 808

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12969 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.40000$0.4
3000$0.15686$470.58
6000$0.14674$880.44
15000$0.13662$2049.3
30000$0.12954$3886.2
75000$0.12880$9660

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top