Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDB045AN08A0-F085

FDB045AN08A0-F085
Увеличить

Только для справки

номер части FDB045AN08A0-F085
LIXINC Part # FDB045AN08A0-F085
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB045AN08A0-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB045AN08A0-F085 Технические характеристики

номер части:FDB045AN08A0-F085
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):75 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:19A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:138 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6600 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):310W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-263AB
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB045AN08A0-F085 Документы

if FDB045AN08A0-F085 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPB80N04S303ATMA1 IPB80N04S303ATMA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 979

Подробнее о заказе
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 5866

Подробнее о заказе
IXTK88N30P IXTK88N30P MOSFET N-CH 300V 88A TO264 4624

Подробнее о заказе
IXFR230N20T IXFR230N20T MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 943

Подробнее о заказе
RJK0236DPA-00#J5A RJK0236DPA-00#J5A MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN 12809

Подробнее о заказе
IPA60R120C7XKSA1 IPA60R120C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 11A TO220 912

Подробнее о заказе
STD10N60M6 STD10N60M6 MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK 931

Подробнее о заказе
SIB456DK-T1-GE3 SIB456DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75 20445

Подробнее о заказе
AOSP66923 AOSP66923 MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC 7904

Подробнее о заказе
DI110N15PQ DI110N15PQ MOSFET N-CH 150V 110A 8QFN 5933

Подробнее о заказе
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT 13810

Подробнее о заказе
PMN30UN115 PMN30UN115 N-CHANNEL, MOSFET 597891

Подробнее о заказе
HUF75637P3 HUF75637P3 MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3 6526

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10947 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.55000$4.55
800$3.10704$2485.632
1600$2.89991$4639.856
2400$2.75491$6611.784

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top