Только для справки
| номер части | FDMS8622 |
| LIXINC Part # | FDMS8622 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDMS8622 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDMS8622 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 56mOhm @ 4.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 400 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 31W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-PQFN (5x6) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| IPD100N06S403ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-31 | 17483 Подробнее о заказе |
|
| IRFR422 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2077 Подробнее о заказе |
|
| STD4LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK | 2077 Подробнее о заказе |
|
| SI1078X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | 870 Подробнее о заказе |
|
| FQPF19N10L | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F | 2278 Подробнее о заказе |
|
| IRLR2908PBF | HEXFET POWER MOSFET | 868 Подробнее о заказе |
|
| IRFR6215PBF | PFET, 13A I(D), 150V, 0.295OHM, | 929 Подробнее о заказе |
|
| STD4N80K5 | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | 5730 Подробнее о заказе |
|
| FDS6680 | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC | 59284 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS6H800NLWFT1G | MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN | 879 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C404NT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 849 Подробнее о заказе |
|
| TSM5NC50CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO252 | 3284 Подробнее о заказе |
|
| SI7113DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK | 7166 Подробнее о заказе |
| В наличии | 300918804 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.99000 | $0.99 |
| 3000 | $0.42143 | $1264.29 |
| 6000 | $0.39392 | $2363.52 |
| 15000 | $0.38016 | $5702.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.