Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPW65R280E6FKSA1

IPW65R280E6FKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPW65R280E6FKSA1
LIXINC Part # IPW65R280E6FKSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPW65R280E6FKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPW65R280E6FKSA1 Технические характеристики

номер части:IPW65R280E6FKSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:13.8A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 440µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:950 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):104W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO247-3
упаковка / чехол:TO-247-3

IPW65R280E6FKSA1 Документы

if IPW65R280E6FKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPI023NE7N3 G IPI023NE7N3 G MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 2372

Подробнее о заказе
NTLUF4189NZTBG NTLUF4189NZTBG MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN 455738

Подробнее о заказе
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK 31205

Подробнее о заказе
NVD5890NT4G NVD5890NT4G 24A, 40V, 0.0037OHM, N-CHANNEL, 3320

Подробнее о заказе
DMTH10H025LPSQ-13 DMTH10H025LPSQ-13 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 969

Подробнее о заказе
RM7N600IP RM7N600IP MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251 915

Подробнее о заказе
STD110N8F6 STD110N8F6 MOSFET N-CH 80V 80A DPAK 2833

Подробнее о заказе
FQB3N30TM FQB3N30TM MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK 3734

Подробнее о заказе
STS5NF60L STS5NF60L MOSFET N-CH 60V 5A 8SO 900

Подробнее о заказе
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 933

Подробнее о заказе
APT10M11JVFR APT10M11JVFR MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP 829

Подробнее о заказе
IPI80N03S4L-04 IPI80N03S4L-04 N-CHANNEL POWER MOSFET 942

Подробнее о заказе
IPD60R1K4C6ATMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 4241

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11678 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.44000$1.44

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top