Только для справки
| номер части | FQPF8N60CYDTU |
| LIXINC Part # | FQPF8N60CYDTU |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQPF8N60CYDTU След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQPF8N60CYDTU |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 7.5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.255 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 48W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| IPW65R280E6FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3 | 1661 Подробнее о заказе |
|
| IPI023NE7N3 G | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | 2437 Подробнее о заказе |
|
| NTLUF4189NZTBG | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN | 455716 Подробнее о заказе |
|
| SISA88DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK | 31202 Подробнее о заказе |
|
| NVD5890NT4G | 24A, 40V, 0.0037OHM, N-CHANNEL, | 3402 Подробнее о заказе |
|
| DMTH10H025LPSQ-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 876 Подробнее о заказе |
|
| RM7N600IP | MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251 | 835 Подробнее о заказе |
|
| STD110N8F6 | MOSFET N-CH 80V 80A DPAK | 2760 Подробнее о заказе |
|
| FQB3N30TM | MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK | 3791 Подробнее о заказе |
|
| STS5NF60L | MOSFET N-CH 60V 5A 8SO | 966 Подробнее о заказе |
|
| BUK9Y12-100E,115 | MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 | 914 Подробнее о заказе |
|
| APT10M11JVFR | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | 926 Подробнее о заказе |
|
| IPI80N03S4L-04 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 824 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12823 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.97000 | $0.97 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.