Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC010NE2LSIATMA1

BSC010NE2LSIATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC010NE2LSIATMA1
LIXINC Part # BSC010NE2LSIATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC010NE2LSIATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC010NE2LSIATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC010NE2LSIATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:38A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.05mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:59 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4200 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая Температура:-
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-7
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC010NE2LSIATMA1 Документы

if BSC010NE2LSIATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STP18NM60ND STP18NM60ND MOSFET N-CH 600V 13A TO220 941

Подробнее о заказе
IPW60R040CFD7XKSA1 IPW60R040CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 1255

Подробнее о заказе
FQPF7P20 FQPF7P20 MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F 6709

Подробнее о заказе
IRF540ZPBF IRF540ZPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB 1940

Подробнее о заказе
SIJA72ADP-T1-GE3 SIJA72ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK 6806

Подробнее о заказе
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF MOSFET N-CH 55V 44A DPAK 6779

Подробнее о заказе
TK100A06N1,S4X TK100A06N1,S4X MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS 993

Подробнее о заказе
SIJ462ADP-T1-GE3 SIJ462ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK 6966

Подробнее о заказе
NTF5P03T3G NTF5P03T3G MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 1186

Подробнее о заказе
STL56N3LLH5 STL56N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT 5920

Подробнее о заказе
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 1735

Подробнее о заказе
STW75NF20 STW75NF20 MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3 801

Подробнее о заказе
STFI12N60M2 STFI12N60M2 MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP 854

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19325 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.82000$1.82
5000$0.89267$4463.35
10000$0.87393$8739.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top